Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (35)
IRF5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт, 0.06 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 538 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 48,07
IRFR5305TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
28 272 шт

Под заказ:
2 770 шт
Аналоги:
54 426 шт
Цена от:
от 41,42
IRFZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 49А 110Вт, 0.022 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
18 698 шт

Под заказ:
3 750 шт
Цена от:
от 22,01
IRF5305STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
474 шт

Под заказ:
4 000 шт
Цена от:
от 63,54
IRF540ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 92Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 702 шт

Под заказ:
200 шт
Цена от:
от 58,32
Акция IRFU5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 938 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 53,16
IRFZ44NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 94Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 299 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 66,86
AO4425 Полевой транзистор P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 38В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF540Z Транзистор полевой N-канальный 100В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция AUIRF540ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DBІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 92Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция AUIRFR5305 Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
517 шт
Цена от:
от 184,29
Акция AUIRFR8401 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 872 шт
Цена от:
от 63,35
FDB52N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 52A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86263P Транзистор полевой P-канальный 150В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 53 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3905пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86520L Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 13.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13.5A Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 4615пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP52N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52А 357Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 357Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
FDPF15N65 Транзистор полевой N-канальный 650В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 440 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3095пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FDS6676AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14.5А 1.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2510пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FQP12N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF12N60C Транзистор полевой N-канальный 600В 12А 51Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"