Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (23)

STP12NM50FP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

562 шт

Под заказ:

465 шт

Цена от:

от 213,69₽

STD20NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

350 шт

Цена от:

от 142,84₽

AO4407A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 105 шт

Цена от:

от 8,99₽

BSC018NE2LSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 25В 29A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7678 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 17.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17.5A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2410пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP42AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP17P10 Транзистор полевой P-канальный 100В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740LCPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7450TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7853PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

20 048 шт

Цена от:

от 59,07₽

Акция

IRF7855PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 393 шт

Цена от:

от 84,38₽

IRF840LCLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF840LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9Z30PBF Транзистор полевой P-канальный 50В 18A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFBC40LCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 6.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI740GLCPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFI840GLCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5А 40Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STD25NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF20NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 18A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 940пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"