Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (46)

IRF7468TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

9.4A

Сопротивление открытого канала:

15.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

2460пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

346 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 202,92₽

IRFIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 21А 37Вт, 0.04 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

200 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 101,64₽

IRFR4105TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 359 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 42,36₽

IRFZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29А 68Вт, 0.05 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 941 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 26,58₽

IRL530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

349 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 193,80₽

IRL530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

2 684 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 87,54₽

IRLR3410TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

831 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

3 567 шт

Цена от:

от 39,90₽

IRLR3410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

3 567 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

831 шт

Цена от:

от 36,60₽

IRLU3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

456 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 76,50₽

STP5NK60ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

155 шт

Внешние склады:

20 шт

Цена от:

от 75,00₽

AOD4126 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43А 50Вт

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFIZ34N Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 21 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220F/5

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFR4105 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 20 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2572 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 29 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5810_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 37 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.4A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

72Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP12N60NZ Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

240Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1676пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF12N60NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

650 мОм

Мощность макс.:

39Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1676пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"