Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (60)
Акция
IRF520NPBF IRF520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 48Вт, 0.20 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 272 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 36,24
Акция
IRF520NSTRLPBF IRF520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.7A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
64 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 82,44
Акция
IRF7204TRPBF IRF7204TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 545 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 41,46
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
11 367 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 27,18
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.4А 48Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
210 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 830 шт

Внешние склады:
7 900 шт
Цена от:
от 19,86
Акция
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
210 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
62 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 17,34
IRLIZ34NPBF IRLIZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
37Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 431 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 66,84
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 697 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 27,66
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 27А 56Вт, 0.035 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
68Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
297 шт

Внешние склады:
573 шт
Цена от:
от 77,58
Акция
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
456 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 54,54
BSP250,115 BSP250,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 71,76
BSP250,135 BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
30 шт
Цена от:
от 71,76
CSD18504KCS CSD18504KCS Транзистор полевой N-канальный 40В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
93Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDB14N30TM FDB14N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 14 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC606P FDC606P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1699пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD2582 FDD2582 Транзистор полевой N-канальный 150В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8782 FDD8782 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 35 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS2582 FDS2582 Транзистор полевой N-канальный 150В 4.1A Aвтомобильного применения 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
66 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDT86102LZ FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB4N80TM FQB4N80TM Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"