Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
FDD3N50NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP3P20 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole
FQT3P20TF Транзистор полевой P-канальный 200В 0.67A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 670мА Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3440DV-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount
SIR698DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7.5 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 195 мОм Мощность макс.: 23Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Through Hole
STP6N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 232пФ Тип монтажа: Through Hole
TN2404K-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount
TN2404K-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 240В 200мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"