Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (70)

IRLL014NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

10 895 шт

Под заказ:

800 шт

Цена от:

от 23,35₽

IRLML5203TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3А 1,25Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 98 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 093 шт

Под заказ:

36 000 шт

Аналоги:

123 490 шт

Цена от:

от 8,76₽

Акция

STN2NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4А 0.23 Ом, 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 411 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 50,47₽

Акция

IRF7413ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 533 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 38,58₽

Акция

IRF7821TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 424 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 55,31₽

IRF7828TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.6A 8-SO Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

1 200 шт

Цена от:

от 38,04₽

IRFL024ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5,1A 57,5мОм SOT-223 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 57.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 500 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 37,85₽

IRFR3707ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

881 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 70,43₽

IRLHS6242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм Мощность макс.: 1.98Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 242 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 37,24₽

STD4N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 1.95 Ом Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

199 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 44,22₽

STD7NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5А 45Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 363пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

855 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 68,94₽

AOD498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 415пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC638P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA291P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA410NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8884 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 685пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDN302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.08 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 882пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6294 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 11.3 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1205пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDS6298 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1108пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 528пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"