Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
Акция IRF7809AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.3A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 112 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 95,32
FDMC8554 Транзистор полевой N-канальный 20В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3380пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86150 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 4.85 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 4065пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB44N10TM Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43.5A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP44N10 Транзистор полевой N-канальный 100В 43.5А 146Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 43.5A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 146Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF7456PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3640пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7456TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3640пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7809AVPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.3A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 112 шт
Цена от:
от 95,32
IRLHM630TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3170пФ Тип монтажа: Surface Mount
RFD16N06LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7611DN-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 18 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1980пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA429DJT-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 20.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB155N3H6 Транзистор полевой N-канальный 30В 80A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD40NF10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Surface Mount
STP36N55M5 Транзистор полевой N-канальный 550В 33A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 550В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Through Hole
STW36N55M5 Транзистор полевой N-канальный 550В 33A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 550В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 2950пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"