Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

IRLZ44ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1620пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

324 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 107,85₽

CSD17312Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 5240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 17 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3672 Транзистор полевой N-канальный 100В 44А 28 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 35В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86250 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 6.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6375 Транзистор полевой P-канальный 20В 8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2694пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQPF7N65C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 52Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1245пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 693 шт

Цена от:

от 22,11₽

FQPF8N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.5А 48Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1255пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF8N60CFT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6.26A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6.26A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1255пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF6775MTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1411пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF740ALPBF Транзистор полевой N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF740APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF740ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF740ASTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10А 125Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1030пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8113TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17.2A Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2323DDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2365EDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 36нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2369DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-236 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4488DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 3.5A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 36нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"