Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

Акция

IRF7401TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 129 шт

Под заказ:

600 шт

Цена от:

от 47,59₽

IRLML2402TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

98 587 шт

Под заказ:

21 000 шт

Аналоги:

689 693 шт

Цена от:

от 7,20₽

Акция

IRLMS6702TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6 (SOT23 6L) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 8.8нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 460 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 6,68₽

Акция

STR2N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.3А Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 367пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 374 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 7,21₽

IRF7207TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 780пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

900 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 33,98₽

IRF7404TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

40 шт

Под заказ:

40 000 шт

Цена от:

от 25,91₽

DMP21D0UFB4-7B Транзистор полевой P-канальный 20В 1.17A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 770мА Сопротивление открытого канала: 495 мОм Мощность макс.: 430мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 1.54нКл Входная емкость: 80пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7401PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 729 шт

Цена от:

от 47,59₽

Акция

IRF7404PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7А 2.5Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

40 040 шт

Цена от:

от 25,91₽

IRF7422D2PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS2101PT1G Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 1.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV40UN,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.9A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 9.3нКл Входная емкость: 445пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8802DB-T2-E1 Транзистор полевой N-канальный 8В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: 8В Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.5нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL6N2VH5 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 6 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 2x2 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6А Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канальный Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STT5N2VH5 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 367пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM61N02FTA Транзистор полевой N-канальный 20В 1.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3.4нКл Входная емкость: 160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM61N02FTC Полевой транзистор N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3.4нКл Входная емкость: 160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM61P02FTA Транзистор полевой P-канальный 20В 900мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3.5нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM62P02E6TA Транзистор полевой P-канальный 20В 2.3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 5.8нКл Входная емкость: 320пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM64P02XTA Транзистор полевой P-канальный 20В 3.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: MSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 6.9нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"