Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
DMG3414UQ-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
780мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
9.6нКл
Входная емкость:
829.9пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2056U-7 DMN2056U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
940мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
4.3нКл
Входная емкость:
339пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP1045UQ-7 Транзистор полевой P-канальный 12В 5.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
15.8нКл
Входная емкость:
1357пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR3C21NZT1G Полевой транзистор N-канальный 20В 3.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
470мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
17.8нКл
Входная емкость:
1540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB65UPEZ Транзистор полевой P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
72 мОм
Мощность макс.:
317мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB75UPEZ Транзистор полевой P-канальный 20В 2.9A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
317мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
608пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZ290UNE2YL PMZ290UNE2YL Транзистор полевой N-канальный 20В 1.2A 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZB390UNEYL Полевой транзистор N-канальный 30В 0.9A 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
1.3нКл
Входная емкость:
41пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RYC002N05T316 RYC002N05T316 Транзистор полевой N-канальный 50В 200MA SST3
Производитель:
ROHM
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Входная емкость:
26пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.5A 3-Pin TO-236 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
960мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STR1P2UH7 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TSM2302CX RFG TSM2302CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
7.8нКл
Входная емкость:
587пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TSM2312CX RFG Транзистор полевой N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
11.2нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"