Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
CSD17307Q5A CSD17307Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 73A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
5.2нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17313Q2-Q1 CSD17313Q2-Q1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17506Q5A CSD17506Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP4025LK3-13 DMP4025LK3-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.7A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
33.7нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3442BDV-T1-E3 SI3442BDV-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 20В 3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
57 мОм
Мощность макс.:
860мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
18.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
13нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4800BDY-T1-GE3 SI4800BDY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
18.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
13нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4424ASTZ ZVN4424ASTZ Транзистор полевой N-канальный 240В 0.26A Aвтомобильного применения 3-Pin E-Line Box
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
260мА
Сопротивление открытого канала:
5.5 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVN4525GTA ZVN4525GTA Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 310 мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
3.65нКл
Входная емкость:
72пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"