Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1904)
Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (14)

IRLML6401TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

61 713 шт

Внешние склады:

33 594 шт

Аналоги:

235 074 шт

Цена от:

от 7,08₽

Акция

PMV32UP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4А 0.93Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

510мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

15.5нКл

Входная емкость:

1890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

270 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 5,70₽

PMV65XP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

76 мОм

Мощность макс.:

480мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

7.6нКл

Входная емкость:

725пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

12 146 шт

Внешние склады:

7 800 шт

Цена от:

от 3,78₽

DMN2300UFB4-7B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.3A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

3-DFN1006H4 (1.0x0.6)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.3A

Сопротивление открытого канала:

175 мОм

Мощность макс.:

470мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

1.6нКл

Входная емкость:

64.3пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3730UFB4-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 750мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

3-DFN

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

750мА

Сопротивление открытого канала:

460 мОм

Мощность макс.:

470мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

1.6нКл

Входная емкость:

64.3пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3900UFA-7B Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.65A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

3-X2-DFN0806

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

550мА

Сопротивление открытого канала:

760 мОм

Мощность макс.:

390мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

0.7нКл

Входная емкость:

42.2пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PH2520U,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.7 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

78нКл

Входная емкость:

5850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV160UP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

210 мОм

Мощность макс.:

335мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

365пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV27UPER Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A 3-Pin TO-236AB

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-236AB (SOT23)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

490мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

22.1нКл

Входная емкость:

1820пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB350UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN (1.1x1)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.2A

Сопротивление открытого канала:

447 мОм

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

2.3нКл

Входная емкость:

116пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZ1000UN,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.48A 3-Pin DFN лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-883

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

480мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

0.89нКл

Входная емкость:

43пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZB290UNE,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN1006B (0.6x1)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

0.68нКл

Входная емкость:

83пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZB350UPE,315 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

3-DFN1006B (0.6x1)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

450 мОм

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

1.9нКл

Входная емкость:

127пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.2A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

950mВ

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

375пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

20 323 шт

Цена от:

от 1,44₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"