Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (14)

IRLML6401TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

18 141 шт

Под заказ:

33 100 шт

Аналоги:

207 885 шт

Цена от:

от 9,63₽

Акция

PMV32UP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4А 0.93Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 510мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 15.5нКл Входная емкость: 1890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

317 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 6,23₽

PMV65XP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 7.6нКл Входная емкость: 725пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 467 шт

Под заказ:

45 000 шт

Цена от:

от 3,50₽

DMN2300UFB4-7B Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.6нКл Входная емкость: 64.3пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3730UFB4-7 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 750 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DFN3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 750мА Сопротивление открытого канала: 460 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.6нКл Входная емкость: 64.3пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3900UFA-7B Транзистор полевой N-канальный 30В 0.65A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 3-X2-DFN0806 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 550мА Сопротивление открытого канала: 760 мОм Мощность макс.: 390мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 42.2пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PH2520U,115 Полевой транзистор N-канальный 20В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 62.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 5850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV160UP,215 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 210 мОм Мощность макс.: 335мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 365пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV27UPER Полевой транзистор P-канальный 20В 4.5A 3-Pin TO-236AB Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 490мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 22.1нКл Входная емкость: 1820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB350UPEZ Транзистор полевой P-канальный 20В 1.2A Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 447 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 2.3нКл Входная емкость: 116пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZ1000UN,315 Транзистор полевой N-канальный 30В 0.48A 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 480мА Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.89нКл Входная емкость: 43пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZB290UNE,315 Полевой транзистор N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.68нКл Входная емкость: 83пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMZB350UPE,315 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 1.9нКл Входная емкость: 127пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301BDS-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 375пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

24 376 шт

Цена от:

от 1,21₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"