Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
Акция
BSP225,115 BSP225,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 225мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
225мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
289 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 37,02
BSS123,215 BSS123,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 150мА, 0.25Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
250мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
16 073 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
177 910 шт
Цена от:
от 3,18
BSS192,115 BSS192,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 0.2А 1Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
12 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 166 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 577 шт
Цена от:
от 25,44
STN3NF06L STN3NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 3.3Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 629 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 24,06
BSP250,115 BSP250,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 шт
Цена от:
от 71,76
AOD478 AOD478 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
6500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC016N06NS BSC016N06NS Транзистор полевой N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
139Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
5200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSC039N06NS BSC039N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
3.9 мОм
Мощность макс.:
69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSP220,115 BSP220,115 Транзистор полевой P-канальный 200В 225мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
225мА
Сопротивление открытого канала:
12 Ом
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSP250,135 BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.65Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
30 шт
Цена от:
от 71,76
BSS123LT1G BSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
20пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
299 229 шт
Цена от:
от 0,96
BSS192,135 BSS192,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 200мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89 (TO-243)
Напряжение исток-сток макс.:
240В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
12 Ом
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 743 шт
Цена от:
от 25,44
BSZ042N06NS BSZ042N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 40A серия OPTIMOS TSDSON8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK6217-55C,118 BUK6217-55C,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
33.8нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
BVSS123LT1G BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
20пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 Транзистор полевой N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
2.9 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
4100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDT452AP NDT452AP Транзистор полевой P-канальный 30В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
234 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
10.4нКл
Входная емкость:
190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Новинка
SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.1A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"