Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (28)
BSP225,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 225мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 225мА Сопротивление открытого канала: 15 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
353 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 47,62
BSP250,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
988 шт

Под заказ:
30 шт
Цена от:
от 40,57
BSS123,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 150мА, 0.25Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
990 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 975 шт
Цена от:
от 4,29
BSS192,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 0.2А 1Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 747 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 827 шт
Цена от:
от 39,52
STN3NF06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 4А 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 514 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 26,84
AOD478 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSC014N06NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 6500пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSC016N06NS Транзистор полевой N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 139Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSC039N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSP220,115 Транзистор полевой P-канальный 200В 225мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 225мА Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 018 шт
Цена от:
от 40,57
BSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.225Вт, 6.0 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
100 339 шт
Цена от:
от 1,41
BSS123TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 965 шт
Цена от:
от 1,41
BSS192,135 Транзистор полевой P-канальный 240В 200мА Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89 (TO-243) Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 12 Ом Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 90пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 574 шт
Цена от:
от 33,63
BSZ042N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 40A серия OPTIMOS TSDSON8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK6217-55C,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 33.8нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPI029N06NAKSA1 Транзистор полевой N-канальный 60В 100A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 2.9 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4100пФ Тип монтажа: Through Hole
NDT452AP Транзистор полевой P-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2324DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 234 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 10.4нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"