Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
Акция IPP80R1K4P7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
218 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 41,69
Акция IPD50R500CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 57Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 550В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 18.7нКл Входная емкость: 433пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 477 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 69,71
IPP77N06S212AKSA2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 77A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 77A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 199,86
Акция IPU80R1K4P7AKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 32Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 10.05нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
48 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
150 шт
Цена от:
от 36,61
2N7002AQ-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.22A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 180мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
399 991 шт
Цена от:
от 0,67
BSC025N03LSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 6100пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS138Q-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,91
CSD18509Q5BT Полевой транзистор N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 13900пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN10H700S-7 Полевой транзистор N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3008SFGQ-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.6A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 2230пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP4065S-7 Транзистор полевой P-канальный 40В 2.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 720мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 12.2нКл Входная емкость: 587пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP6180SK3Q-13 Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 984.7пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD4685-F085 Полевой транзистор P-канальный 40В 32A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPA80R450P7XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 29Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole
IPB065N15N3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 150В 130A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 93нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPD50N04S308ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 50A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPD50P04P413ATMA1 Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 12.6 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 3670пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPD60R1K5CEAUMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 5A лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 49Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 9.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPD60R2K1CEBTMA1 Полевой транзистор N-канальный 600В TO-252-3 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 2.1 Ом Мощность макс.: 22Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPP100N04S303AKSA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 100A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 145нКл Входная емкость: 9600пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"