Одиночные MOSFET транзисторы

26
Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (26)
IRF7425TRPBF IRF7425TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
7980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 695 шт

Внешние склады:
14 470 шт
Цена от:
от 48,36
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2А 0.8Вт, 0.045 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
20 413 шт

Внешние склады:
165 485 шт
Аналоги:
817 101 шт
Цена от:
от 0,85
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7А 1.3Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
633пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
198 821 шт

Внешние склады:
124 414 шт
Аналоги:
931 311 шт
Цена от:
от 4,44
Акция
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
8 505 шт

Внешние склады:
7 404 шт
Цена от:
от 24,06
Акция
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.6А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1079пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 298 шт

Внешние склады:
10 838 шт
Цена от:
от 14,94
DMG3420U-7 DMG3420U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.47A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.47A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
740мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
434.7пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
69 600 шт
Цена от:
от 3,18
DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.44A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
440мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
450мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
18 040 шт
Цена от:
от 6,96
DMN2041L-7 DMN2041L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.4A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
780мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
15.6нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 360 шт
Цена от:
от 4,50
CSD25483F4T CSD25483F4T Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
205 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
0.96нКл
Входная емкость:
198пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6530A FDD6530A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
32 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7425PBF IRF7425PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15А 2Вт, 8.2м Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
7980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
19 165 шт
Цена от:
от 48,36
NTGS3446T1G NTGS3446T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.3А 0.1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTK3134NT1G NTK3134NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 750мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
750мА
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
310мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Входная емкость:
120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTK3139PT1G NTK3139PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 780мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-723
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
660мА
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
310мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Входная емкость:
170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMS10P02R2G NTMS10P02R2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR4101PT1G NTR4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8А 0.21Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
675пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
NTRV4101PT1G NTRV4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.8A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
675пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVR4501NT1G NVR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.5123 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"