Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (112)
IRLML6302TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.78А 0,54Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 780мА Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 540мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 3.6нКл Входная емкость: 97пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
56 146 шт

Под заказ:
25 000 шт
Аналоги:
182 100 шт
Цена от:
от 7,49
2SK3019TL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.1A Производитель: ROHM Корпус: EMT3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 150мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 13пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
14 811 шт
Цена от:
от 3,21
BSS138P,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 360мА, 1.14Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
30 940 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
301 199 шт
Цена от:
от 2,28
BSS138PW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА 0.31Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 260мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
3 275 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 2,94
AO3400A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8А 0.9Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 26.5 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 шт
Цена от:
от 2,14
AO3434A Полевой транзистор N-канальный 30В 4A 3-Pin SOT-23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 245пФ Тип монтажа: Surface Mount
BS108ZL1G Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 250мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Through Hole
BSN20-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 500мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSS138 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 220мА 0.36Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.4нКл Входная емкость: 27пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,91
BSS138-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,91
BSS138AKAR Транзистор полевой N-канальный 60В 0.2A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.51нКл Входная емкость: 47пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция BSS138L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.4нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,91
BSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,91
BSS138LT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
332 139 шт
Цена от:
от 0,91
BSS138W-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.2Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
378 743 шт
Цена от:
от 1,34
BVSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17312Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 5240пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG3418L-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 464.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2020LSN-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 610мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11.6нКл Входная емкость: 1149пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN3065LW-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 770мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11.7нКл Входная емкость: 465пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"