Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (112)
BSS138P,215 BSS138P,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 360мА, 1.14Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
360мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.8нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
29 617 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
512 581 шт
Цена от:
от 1,98
BSS138PW,115 BSS138PW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
320мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.8нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
29 613 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 2,22
IRLML6302TRPBF IRLML6302TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 0.78А 0,54Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
780мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
3.6нКл
Входная емкость:
97пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
88 706 шт

Внешние склады:
25 400 шт
Аналоги:
147 924 шт
Цена от:
от 6,90
2SK3019TL 2SK3019TL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.1A
Производитель:
ROHM
Корпус:
EMT3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
150мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
13пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
13 388 шт
Цена от:
от 3,30
AO3400A AO3400A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.8А 0.9Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
48 020 шт
Цена от:
от 1,56
AO3434A AO3434A Полевой транзистор N-канальный 30В 4A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
245пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BS108ZL1G BS108ZL1G Транзистор полевой N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BSN20-7 BSN20-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 500мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
1.8 Ом
Мощность макс.:
600мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.8нКл
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS138 BSS138 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 220мА 0.36Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
220мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
2.4нКл
Входная емкость:
27пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
542 198 шт
Цена от:
от 0,68
BSS138-7-F BSS138-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.3Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
542 198 шт
Цена от:
от 0,68
BSS138AKAR BSS138AKAR Транзистор полевой N-канальный 60В 0.2A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.51нКл
Входная емкость:
47пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
BSS138L BSS138L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
2.4нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
542 198 шт
Цена от:
от 0,68
BSS138LT1G BSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
542 198 шт
Цена от:
от 0,68
BSS138LT3G BSS138LT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
542 198 шт
Цена от:
от 0,68
BSS138W-7-F BSS138W-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.2Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
404 545 шт
Цена от:
от 1,14
BVSS138LT1G BVSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17312Q5 CSD17312Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
5240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3418L-7 DMG3418L-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
464.3пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2020LSN-7 DMN2020LSN-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
610мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
11.6нКл
Входная емкость:
1149пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN3065LW-7 DMN3065LW-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
770мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
11.7нКл
Входная емкость:
465пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"