Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRF7842TRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 4500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3707ZSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 59A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 59A
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
Мощность макс.: 57Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 1210пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF3709ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87А 79Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 87A
Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 2130пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRF7413ZTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 1210пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807ZTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3707ZTRPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 1150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR7807ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 43А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF6614TRPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DIRECTFET[тм] ST
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 12.7A
Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм
Мощность макс.: 2.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 2560пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7413ZPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 13A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 1210пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7842PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18А 2.5Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 4500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3707ZPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 56A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 1150пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRFR3709ZPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 86А 79Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 86A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 2330пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL8113PBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 105A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 2840пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL8113SPBF
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 105A
Сопротивление открытого канала: 6 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 35нКл
Входная емкость: 2840пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLR7807ZTRPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 43A
Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.