Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (28)
2N7002BK,215 2N7002BK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.83Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
350мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
370мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 525 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,66
Акция
2N7002BKW,115 2N7002BKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323 (SC-70)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
275мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
568 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 14,94
Акция
BSS84AK,215 BSS84AK,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.18A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
180мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 956 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,12
BSS84AKW,115 BSS84AKW,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 150мА, 0.31Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
260мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 712 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,84
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
190мА
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
265мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.43нКл
Входная емкость:
17пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
14 859 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,97
Акция
NX7002AKW,115 NX7002AKW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
4.5 Ом
Мощность макс.:
220мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.43нКл
Входная емкость:
17пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
359 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 0,97
2N7002BKM,315 2N7002BKM,315 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.45A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS84AKM,315 BSS84AKM,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
340мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS84AKMB,315 BSS84AKMB,315 Транзистор полевой P-канальный 50В 0.23A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение исток-сток макс.:
50В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.35нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 Транзистор полевой N-канальный 60В 56A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
12.8 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
20.5нКл
Входная емкость:
2651пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R2-80E,118 BUK964R2-80E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 120 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
349Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
17130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK964R8-60E,118 BUK964R8-60E,118 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4.4 мОм
Мощность макс.:
234Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
9710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y12-40E,115 BUK9Y12-40E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 52A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
52A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
9.8нКл
Входная емкость:
1423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y21-40E,115 BUK9Y21-40E,115 Полевой транзистор N-канальный 40В 33A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
824пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y3R5-40E,115 BUK9Y3R5-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.6 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
30.2нКл
Входная емкость:
5137пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y4R4-40E,115 BUK9Y4R4-40E,115 Транзистор полевой N-канальный 40В 100A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
147Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
26.8нКл
Входная емкость:
4077пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9Y6R0-60E,115 BUK9Y6R0-60E,115 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
195Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
39.4нКл
Входная емкость:
6319пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD16404Q5A CSD16404Q5A Транзистор полевой N-канальный 25В 81A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON8EP
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
5.1 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
1220пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10.5 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
4965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN3033LSN-7 DMN3033LSN-7 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"