Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1887)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (35)

IPD135N03LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

30A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

1000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

520 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

4 521 шт

Цена от:

от 47,10₽

STD17NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.055 Ом, 17А 30Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

6.5нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 717 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 25,98₽

BSZ0901NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SON8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

50Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

2850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

CSD16406Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON-8

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

19A

Сопротивление открытого канала:

5.3 мОм

Мощность макс.:

2.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

8.1нКл

Входная емкость:

1100пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86102LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86116LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.3 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

103 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86106LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

108 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD50P04P4L11ATMA1 Полевой транзистор P-канальный 40В 50A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3-313

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

50A

Сопротивление открытого канала:

10.6 мОм

Мощность макс.:

58Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

3900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6623TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 16 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DIRECTFET[тм] ST

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

5.7 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1360пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF8113TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17.2A

Сопротивление открытого канала:

5.6 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2910пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTMFS4927NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 7.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.9A

Сопротивление открытого канала:

7.3 мОм

Мощность макс.:

920мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

913пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVTFS4C08NTWG Полевой транзистор N-канальный 30В 55A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

18.2нКл

Входная емкость:

1113пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN1R1-30PL,127 Транзистор полевой N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

1.3 мОм

Мощность макс.:

338Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

243нКл

Входная емкость:

14850пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30MLDX Полевой транзистор N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK33

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

91Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

51нКл

Входная емкость:

3264пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN2R4-30YLDX Транзистор полевой N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм

Мощность макс.:

106Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

31.3нКл

Входная емкость:

2256пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.3А 1.7Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

6.7нКл

Входная емкость:

235пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4136DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 46 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

46A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

7.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

4560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 17A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

9.5 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

985пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5429DU-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® ChipFet Dual

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

31Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

2320пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7613DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 35A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

35A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

52.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

87нКл

Входная емкость:

2620пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"