Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (44)

2N7002PW,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.31А 0.31Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 260мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

175 шт

Под заказ:

15 000 шт

Цена от:

от 2,90₽

IRF9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20A 8-SOIC, 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 5250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

26 670 шт

Под заказ:

2 440 шт

Аналоги:

20 980 шт

Цена от:

от 76,36₽

IRF9317TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 16A SO-8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 547 шт

Под заказ:

230 шт

Цена от:

от 56,59₽

IRF9321TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

8 152 шт

Под заказ:

7 655 шт

Цена от:

от 29,04₽

Акция

IRF9328TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A 8-Pin SOIC N лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 434 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 103,75₽

Акция

IRLML9303TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.3А 1.25Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 2нКл Входная емкость: 160пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

20 594 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

35 437 шт

Цена от:

от 8,67₽

IRF9333TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.2А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.2A Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 414 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 52,23₽

IRFH9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 5250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

600 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 89,79₽

IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1543пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 978 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 39,77₽

IRFTS9342TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 595пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 067 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 29,00₽

IRLML9301TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 64 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 4.8нКл Входная емкость: 388пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 084 шт

Под заказ:

3 000 шт

Аналоги:

65 841 шт

Цена от:

от 9,24₽

2N7002P,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.36A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

2N7002P,235 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.36A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AO4411 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD409 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 26А 30Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON6234 Полевой транзистор N-канальный 40В 85A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2805пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18504Q5A Транзистор полевой N-канальный 40В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1656пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18563Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 96 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD18563Q5AT Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN4020LFDE-7 Полевой транзистор N-канальный 40В 8A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 19.1нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"