Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (15)

IRL3803STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 71А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 140нКл @ 4.5В Входная емкость: 5000пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

237 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 140,11₽

AO7408 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2A SC70-6L Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SC-70-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 62 мОм @ 2А, 4.5В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 4нКл @ 4.5В Входная емкость: 320пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AO7414 MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 62 мОм @ 2А, 4.5В Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 3.8нКл @ 4.5В Входная емкость: 320пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME820NZT MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6 Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9A(Ta) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9А, 4.5В Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 8.5нКл @ 4.5В Входная емкость: 865пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF9410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 30 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 27нКл @ 10В Входная емкость: 550пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3103STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 64A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 64A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 33нКл @ 4.5В Входная емкость: 1650пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3803STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6 мОм @ 71А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 140нКл @ 4.5В Входная емкость: 5000пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3803VSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм @ 71А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 76нКл @ 4.5В Входная емкость: 3720пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

MVSF2N02ELT1G Полевой транзистор N-канальный 20В 2.8A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 85 мОм @ 3.6А, 4.5В Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 3.5нКл @ 4В Входная емкость: 150пФ @ 5В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB70NF03LT4 MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 70A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм @ 35А, 10В Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 30нКл @ 5В Входная емкость: 1440пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF03L-04T4 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 4.5В Входная емкость: 5500пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STS7NF60L Полевой транзистор N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм @ 3.5А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 34нКл @ 4.5В Входная емкость: 1700пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A13GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A(Ta) Сопротивление открытого канала: 390 мОм @ 900mА, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 5.9нКл @ 10В Входная емкость: 219пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP6A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 125 мОм @ 2.2А, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 17.7нКл @ 10В Входная емкость: 637пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMP7A17GQTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 2.6A SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 70В Ток стока макс.: 2.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 160 мОм @ 2.1А, 10В Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 635пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"