Одиночные MOSFET транзисторы

15
Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (15)
IRL3803STRLPBF IRL3803STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
140A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6 мОм @ 71А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
140нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 116,58
AO7408 AO7408 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2A SC70-6L
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SC-70-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
62 мОм @ 2А, 4.5В
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
4нКл @ 4.5В
Входная емкость:
320пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO7414 AO7414 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2A SC70-3
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SC-70-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
62 мОм @ 2А, 4.5В
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.8нКл @ 4.5В
Входная емкость:
320пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME820NZT FDME820NZT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 9A MICROFET 1.6
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFet 1.6x1.6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
9A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 9А, 4.5В
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
8.5нКл @ 4.5В
Входная емкость:
865пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF9410TRPBF IRF9410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
30 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
27нКл @ 10В
Входная емкость:
550пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 64A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
64A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
33нКл @ 4.5В
Входная емкость:
1650пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL3803STRRPBF IRL3803STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
140A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6 мОм @ 71А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
140нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL3803VSPBF IRL3803VSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
140A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм @ 71А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
76нКл @ 4.5В
Входная емкость:
3720пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
MVSF2N02ELT1G MVSF2N02ELT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.8A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
85 мОм @ 3.6А, 4.5В
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.5нКл @ 4В
Входная емкость:
150пФ @ 5В
Тип монтажа:
Surface Mount
STB70NF03LT4 STB70NF03LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
70A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм @ 35А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
30нКл @ 5В
Входная емкость:
1440пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STB80NF03L-04T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 80A D2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4 мОм @ 40А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STS7NF60L STS7NF60L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
34нКл @ 4.5В
Входная емкость:
1700пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A13GTA ZXMP6A13GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.7A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
390 мОм @ 900mА, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
5.9нКл @ 10В
Входная емкость:
219пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
125 мОм @ 2.2А, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
17.7нКл @ 10В
Входная емкость:
637пФ @ 30В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP7A17GQTA ZXMP7A17GQTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 2.6A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
70В
Ток стока макс.:
2.6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
160 мОм @ 2.1А, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
635пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68714 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"