Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (38)
Акция
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.6А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 601 шт

Внешние склады:
900 шт
Цена от:
от 26,64
Акция
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 0.9А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
6.8нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 922 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 18,18
Акция
IRF7465TRPBF IRF7465TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 214 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 35,04
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
802 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 74,88
Акция
IRFB23N20DPBF IRFB23N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 170Вт, 0.1 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
56 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 238,50
Акция
IRFB33N15DPBF IRFB33N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
2020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
43 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 147,36
Акция
IRFB42N20DPBF IRFB42N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 44А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
102 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 112,44
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 418 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 61,20
Акция
SPP03N60S5 SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
58 шт

Внешние склады:
14 000 шт
Цена от:
от 57,18
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
121 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 508,98
SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
90 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 638,34
Акция
IRF7452TRPBF IRF7452TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A, 2.5Вт 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
9 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 234,96
Акция
IRFR13N15DTRPBF IRFR13N15DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
12 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 214,74
FDP3651U FDP3651U Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
5522пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF7450PBF IRF7450PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7450TRPBF IRF7450TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 2.5A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
940пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7452PBF IRF7452PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 шт
Цена от:
от 234,96
IRF7465PBF IRF7465PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 514 шт
Цена от:
от 35,04
Акция
IRF7473PBF IRF7473PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 6.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"