Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (15)

BUK7606-75B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

75В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.6 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

91нКл @ 10В

Входная емкость:

7446пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7608-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

8 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

254Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

76нКл @ 0В

Входная емкость:

4352пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7613-100E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

72A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

13 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

182Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

97.2нКл @ 10В

Входная емкость:

4533пФ @ 20В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK761R7-40E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

324Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

118нКл @ 10В

Входная емкость:

9700пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7620-55A,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 54A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

54A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

20 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

118Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Входная емкость:

1592пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7626-100B,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 49A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

49A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

26 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

157Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

38нКл @ 10В

Входная емкость:

2891пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7628-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 47A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

47A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

28 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

166Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Входная емкость:

3100пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7635-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

35A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

35 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Входная емкость:

872пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK763R8-80E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.8 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

169нКл @ 10В

Входная емкость:

12030пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7E3R5-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

293Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

114нКл @ 10В

Входная емкость:

8920пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK7E4R6-60E,127 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A I2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

I2PAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

234Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

82нКл @ 10В

Входная емкость:

6230пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

BUK7Y14-80EX Полевой транзистор N-канальный 80В 65A LFPAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK56

Напряжение исток-сток макс.:

80В

Ток стока макс.:

65A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

14 мОм @ 15А, 10В

Мощность макс.:

147Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

44.8нКл @ 10В

Входная емкость:

3155пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y59-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A LFPAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK56

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

17A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

59 мОм @ 5А, 10В

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

7.8нКл @ 10В

Входная емкость:

494пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN016-100BS,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A D2PAK

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A(Tj)

Сопротивление открытого канала:

16 мОм @ 15А, 10В

Мощность макс.:

148Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

49нКл @ 10В

Входная емкость:

2404пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN025-100D,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

47A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

25 мОм @ 25А, 10В

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 1mA

Заряд затвора:

61нКл @ 10В

Входная емкость:

2600пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"