Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
BUK7606-75B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 91нКл @ 10В
Входная емкость: 7446пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7608-55A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 254Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 76нКл @ 0В
Входная емкость: 4352пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7613-100E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 72A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 182Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 97.2нКл @ 10В
Входная емкость: 4533пФ @ 20В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK761R7-40E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 324Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 118нКл @ 10В
Входная емкость: 9700пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7620-55A,118
Полевой транзистор N-канальный 55В 54A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 54A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 118Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Входная емкость: 1592пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7626-100B,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 49A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 49A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 26 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 157Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 38нКл @ 10В
Входная емкость: 2891пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7628-100A,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 47A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 47A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 28 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 166Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Входная емкость: 3100пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7635-55A,118
Транзистор полевой N-канальный 55В 35A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 35A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 85Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Входная емкость: 872пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK763R8-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 120A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 169нКл @ 10В
Входная емкость: 12030пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7E3R5-60E,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 293Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 114нКл @ 10В
Входная емкость: 8920пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
BUK7E4R6-60E,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A I2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 234Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 82нКл @ 10В
Входная емкость: 6230пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
BUK7Y14-80EX
Полевой транзистор N-канальный 80В 65A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 65A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 147Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 44.8нКл @ 10В
Входная емкость: 3155пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7Y59-60EX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 17A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 59 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 7.8нКл @ 10В
Входная емкость: 494пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN016-100BS,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 57A(Tj)
Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 148Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 49нКл @ 10В
Входная емкость: 2404пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
PSMN025-100D,118
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 47A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 61нКл @ 10В
Входная емкость: 2600пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.