Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (17)

Акция

IRLZ44ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51А 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 36нКл @ 5В Входная емкость: 1620пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

541 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 96,60₽

AO3409 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6A SOT23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 130 мОм @ 2.6А, 10В Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 9нКл @ 10В Входная емкость: 370пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB4184 MOSFET N-CH 40V 12A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 1800пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOL1454 MOSFET N-CH 40V 12A 8ULTRASO Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: UltraSO-8[тм] Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1920пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLZ44Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 36нКл @ 5В Входная емкость: 1620пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDD5353 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11.5A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.3 мОм @ 10.7А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 3215пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA8051L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 1260пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA86551L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MicroFET (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 1235пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8360L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A POWER33 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 27A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 27А, 10В Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 80нКл @ 10В Входная емкость: 5795пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A POWER56 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A(Ta),35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 10В Входная емкость: 1590пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6681Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 260нКл @ 10В Входная емкость: 7540пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3711TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 4.5В Входная емкость: 2980пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3705ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 52А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 5В Входная емкость: 2880пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3705ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 52А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 5В Входная емкость: 2880пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR2905ZTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 42A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм @ 36А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 5В Входная емкость: 1570пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

34 334 шт

Цена от:

от 32,24₽

NVTFS5116PLWFTAG Полевой транзистор P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: WDFN8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 1258пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL8N10LF3 Транзистор полевой N-канальный 100В 20A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFlat[тм] (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 20A(Tc) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 4А, 10В Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20.5нКл @ 10В Входная емкость: 970пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"