Одиночные MOSFET транзисторы

₁₇

Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)
Through Hole (1905)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (17)

Акция

IRLZ44ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51А 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

51A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм @ 31А, 10В

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

36нКл @ 5В

Входная емкость:

1620пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

389 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 53,88₽

AO3409 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6A SOT23

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

SOT-23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.6A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

130 мОм @ 2.6А, 10В

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

9нКл @ 10В

Входная емкость:

370пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB4184 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A TO263

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A(Ta),50A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

10 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

35нКл @ 10В

Входная емкость:

1800пФ @ 20В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOL1454 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12A 8ULTRASO

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

UltraSO-8[тм]

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

12A(Ta),50A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

9 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

2.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

22нКл @ 10В

Входная емкость:

1920пФ @ 20В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLZ44Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-220AB

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

51A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм @ 31А, 10В

Мощность макс.:

80Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

36нКл @ 5В

Входная емкость:

1620пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDD5353 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.5A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

11.5A(Ta),50A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12.3 мОм @ 10.7А, 10В

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

65нКл @ 10В

Входная емкость:

3215пФ @ 30В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA8051L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 6-MLP

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MicroFET 2x2

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

10A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

14 мОм @ 10А, 10В

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

20нКл @ 10В

Входная емкость:

1260пФ @ 20В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA86551L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6-MLP

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-MicroFET (2x2)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.5A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

23 мОм @ 7.5А, 10В

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

17нКл @ 10В

Входная емкость:

1235пФ @ 30В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8360L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A POWER33

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

27A(Ta),80A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.1 мОм @ 27А, 10В

Мощность макс.:

54Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

80нКл @ 10В

Входная емкость:

5795пФ @ 20В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A POWER56

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14A(Ta),35A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

7 мОм @ 14А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

26нКл @ 10В

Входная емкость:

1590пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6681Z Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

4.6 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

260нКл @ 10В

Входная емкость:

7540пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3711TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 100A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

100A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм @ 15А, 10В

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

44нКл @ 4.5В

Входная емкость:

2980пФ @ 10В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3705ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

8 мОм @ 52А, 10В

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

60нКл @ 5В

Входная емкость:

2880пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3705ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

8 мОм @ 52А, 10В

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

60нКл @ 5В

Входная емкость:

2880пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR2905ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

42A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм @ 36А, 10В

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

35нКл @ 5В

Входная емкость:

1570пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

21 812 шт

Цена от:

от 32,24₽

NVTFS5116PLWFTAG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

WDFN8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

6A(Ta)

Сопротивление открытого канала:

52 мОм @ 7А, 10В

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

25нКл @ 10В

Входная емкость:

1258пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL8N10LF3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

PowerFlat[тм] (5x6)

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

20A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

35 мОм @ 4А, 10В

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

20.5нКл @ 10В

Входная емкость:

970пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"