Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1326)
AUIRF1010Z AUIRF1010Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
2840пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
296 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 164,82
Акция
AUIRF1404Z AUIRF1404Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
100 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 125,94
Акция
AUIRF2804STRL7P AUIRF2804STRL7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 320A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
260нКл
Входная емкость:
6930пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 294 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 490,74
Акция
AUIRF3805S-7P AUIRF3805S-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
80 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 957,60
Акция
AUIRF4905 AUIRF4905 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
74A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
3400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
83 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 280,80
AUIRFR5505 AUIRFR5505 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18А 57Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
64 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 122,10
Акция
AUIRFZ24NS AUIRFZ24NS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
370пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
126 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 91,44
BSH114,215 BSH114,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА, 0.83Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
500 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 980 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 27,90
IRF1010EPBF IRF1010EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 84А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
84A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 303 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 64,86
Акция
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 75А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
2810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
167 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 91,74
IRF1010NPBF IRF1010NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 72А 130Вт 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
606 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 95,94
Акция
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF Полевой транзистор N-канальный 55В 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
3210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
437 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 82,02
IRF1010ZPBF IRF1010ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
2840пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
75 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 137,70
IRF1018EPBF IRF1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79А 110Вт, 0.0071 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
79A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
6 549 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 58,02
IRF1104PBF IRF1104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 826 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 130,62
IRF1310NPBF IRF1310NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
620 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 80,88
Акция
IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
265 шт

Внешние склады:
101 шт
Цена от:
от 100,14
IRF1324PBF IRF1324PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 195А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
24В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
240нКл
Входная емкость:
7590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
600 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 139,80
IRF1404PBF IRF1404PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162А 200Вт, 0.004 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
202A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
196нКл
Входная емкость:
5669пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
22 936 шт

Внешние склады:
310 шт
Аналоги:
9 938 шт
Цена от:
от 58,14
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
162A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
513 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 138,24
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"