Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (63)
Акция
AUIRFB8405 AUIRFB8405 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
163Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
161нКл
Входная емкость:
5193пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
85 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,12
Акция
AUIRFS8409-7P AUIRFS8409-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
240A
Сопротивление открытого канала:
0.75 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
460нКл
Входная емкость:
13975пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
271 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 838,08
IRFB7430PBF IRFB7430PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
460нКл
Входная емкость:
14240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
262 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 123,48
IRFB7434PBF IRFB7434PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 294Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.6 мОм
Мощность макс.:
294Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
324нКл
Входная емкость:
10820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 756 шт

Внешние склады:
4 250 шт
Цена от:
от 52,92
IRFB7437PBF IRFB7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
789 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 61,62
IRFB7440PBF IRFB7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.5 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
135нКл
Входная емкость:
4730пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
596 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,58
IRFB7446PBF IRFB7446PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120А 99Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
3183пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
442 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 54,00
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
104Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
4574пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 175 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,48
IRFP7430PBF IRFP7430PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 366Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
366Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
460нКл
Входная емкость:
14240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
109 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 202,74
IRFR7440TRPBF IRFR7440TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
134нКл
Входная емкость:
4610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
222 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,68
Акция
IRFU7440PBF IRFU7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
134нКл
Входная емкость:
4610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 470 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 63,78
Акция
SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-FP
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
32Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
146 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 141,36
Акция
SPA11N60C3XKSA1 SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
33Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
242 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 203,70
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3 (fully isolated)
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
112 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 229,44
SPA20N60C3XKSA1 SPA20N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 34Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
34.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
509 шт

Внешние склады:
300 шт
Цена от:
от 175,86
Акция
SPP06N80C3 SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
158 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 372,60
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
290 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 179,34
SPP11N80C3XKSA1 SPP11N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
450 мОм
Мощность макс.:
156Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 393 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 182,64
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17А 208Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
290 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
177нКл
Входная емкость:
2320пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 738 шт

Внешние склады:
680 шт
Цена от:
от 134,88
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
786 шт

Внешние склады:
1 090 шт
Цена от:
от 156,42
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"