Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (13)
DMN1019UFDE-7 Транзистор полевой N-канальный 12В 11A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 50.6нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTLJS2103PTBG Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1157пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI1317DL-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 272пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 8В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1485пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2342DS-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1070пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4421DY-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 8.75 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 125нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI6423DQ-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A Производитель: Vishay Корпус: TSSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.05Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 110нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI6423DQ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 8.2A Производитель: Vishay Корпус: TSSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.05Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 110нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI8416DB-T2-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 16 А Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8424CDB-T1-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В Производитель: Vishay Корпус: Microfoot4 Напряжение исток-сток макс.: Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 2340пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI8483DB-T2-E1 Транзистор полевой P-канальный 12В 16A Производитель: Vishay Корпус: 6-Micro Foot[тм] Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 1840пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA427ADJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIA436DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.4 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 25.2нКл Входная емкость: 1508пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"