Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
Акция
AUIRF1324 AUIRF1324 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 24В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
24В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм @ 195А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
240нКл @ 10В
Входная емкость:
7590пФ @ 24В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
202 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 290,40
AUIRF3205Z AUIRF3205Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6.5 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
3450пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
189 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 163,38
Новинка
AUIRFR4615TRL AUIRFR4615TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1750пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
288 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 195,42
AUIRFR5305TRL AUIRFR5305TRL Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
65 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1200пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
487 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
540 шт
Цена от:
от 202,56
BSS138W BSS138W Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 340мА, 0.15Вт
Производитель:
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD.
Корпус:
SOT-323
Напряжение исток-сток макс.:
50V
Ток стока макс.:
210mA (Ta)
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ohm @ 220mA, 10V
Мощность макс.:
340mW
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5V @ 1mA
Заряд затвора:
1.1nC @ 10V
Входная емкость:
38pF @ 25V
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
19 413 шт

Внешние склады:
364 891 шт
Аналоги:
10 109 шт
Цена от:
от 1,14
BSS87,115 BSS87,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 400мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
400мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
3 Ом @ 400mА, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В @ 1mA
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 382 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,62
Акция
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
79A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм @ 47А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
294 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 104,10
Акция
IRF3007PBF IRF3007PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A TO-220AB
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.6 мОм @ 48А, 10В
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
3270пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
97 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 123,24
Акция
IRF3805STRL-7PP IRF3805STRL-7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм @ 140А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7820пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
755 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 269,70
IRF540ZLPBF IRF540ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A TO-262
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
36A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
26.5 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.:
92Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 10В
Входная емкость:
1770пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
150 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 133,38
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.3A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 8.3А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
39нКл @ 10В
Входная емкость:
1640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
963 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 51,42
IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
9.4 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
39нКл @ 10В
Входная емкость:
1560пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 663 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 66,12
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A 3-Pin(2+Tab) DPAKлента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм @ 47А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
874 шт

Внешние склады:
5 600 шт
Цена от:
от 43,20
Акция
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
600 мОм @ 2.9А, 10В
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
23нКл @ 10В
Входная емкость:
300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 145 шт

Внешние склады:
100 шт
Аналоги:
25 777 шт
Цена от:
от 60,18
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
33A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1750пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
556 шт

Внешние склады:
1 930 шт
Цена от:
от 51,36
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм @ 66А, 10В
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В @ 100 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 10В
Входная емкость:
4360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 032 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 47,10
IRFS3806TRLPBF IRFS3806TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 43A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
43A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
15.8 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 50 µA
Заряд затвора:
30нКл @ 10В
Входная емкость:
1150пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 069 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 84,00
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
195A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.1 мОм @ 62А, 10В
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
5270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 623 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 162,06
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
45A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
48 мОм @ 26А, 10В
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
4560пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
660 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 216,60
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
6 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
170нКл @ 10В
Входная емкость:
6860пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 140 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 93,96
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"