Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
FDFM2P110
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET 3x3mm
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 140 мОм
Мощность макс.: 800мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 4нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2N028Z
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.7A
Сопротивление открытого канала: 68 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 455пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2P029Z
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 720пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA2P853
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 700мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 435пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFMA3N109
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.9A
Сопротивление открытого канала: 123 мОм
Мощность макс.: 650мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 3нКл
Входная емкость: 220пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFS2P106A
Транзистор полевой P-канальный 60В 3A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 21нКл
Входная емкость: 714пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDFS6N548
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 23 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7422D2PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 610пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRF7807VD1PBF
Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.3A
Сопротивление открытого канала: 25 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 14нКл
Тип монтажа: Surface Mount
NTHD3101FT1G
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: ChipFET[тм]
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 7.4нКл
Входная емкость: 680пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTLJF3117PT1G
Полевой транзистор P-канальный 20В 3.3A 6-Pin WDFN лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-WDFN (2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 710мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 6.2нКл
Входная емкость: 531пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NTLJF4156NT1G
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.5 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-WDFN (2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 710мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 6.5нКл
Входная емкость: 427пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.