Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
18
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
AO3414
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3A 3-Pin SOT-23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
436пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AO3420
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A SOT23
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
24 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 1mA
Заряд затвора:
8.8нКл @ 4.5В
Входная емкость:
630пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO7408
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2A SC70-6L
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SC-70-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
62 мОм @ 2А, 4.5В
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
4нКл @ 4.5В
Входная емкость:
320пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO7411
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8A SC70-6
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SC-70-6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
120 мОм @ 1.8А, 4.5В
Мощность макс.:
630мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ @ 250 µA
Заряд затвора:
6.24нКл @ 4.5В
Входная емкость:
524пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
AO7414
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2A SC70-3
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SC-70-3
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
62 мОм @ 2А, 4.5В
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.8нКл @ 4.5В
Входная емкость:
320пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
AON7407
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 14.5A 8DFN
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (3x3)
Напряжение исток-сток макс.:
20V
Ток стока макс.:
14.5A (Ta), 40A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 mOhm @ 14A, 4.5V
Мощность макс.:
3.1W
Тип транзистора:
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
900mV @ 250 µA
Заряд затвора:
53nC @ 4.5V
Входная емкость:
4195pF @ 10V
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC604P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1926пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC606P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1699пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD306P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6.7A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA291P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDME820NZT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 9A MICROFET 1.6
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFet 1.6x1.6
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
9A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 9А, 4.5В
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
8.5нКл @ 4.5В
Входная емкость:
865пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN304P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1312пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN304PZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDN306P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
1138пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDN327N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2А 0.07 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6.3нКл
Входная емкость:
423пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS4465
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 13.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
13.5A
Сопротивление открытого канала:
8.5 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
8237пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3136PT1G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1901пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTLJS4114NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара