Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59А 160Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
96 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 160,62
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
696 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 109,14
Акция
IRF3707ZSPBF IRF3707ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
57Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
1210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
39 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 169,80
AUIRF3710Z AUIRF3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDA59N25 FDA59N25 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 59А 390Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
49 мОм
Мощность макс.:
392Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
82нКл
Входная емкость:
4020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDA59N30 FDA59N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 59A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF3710ZSPBF IRF3710ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
18 мОм
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
696 шт
Цена от:
от 109,14
IRFB59N10DPBF IRFB59N10DPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFB7746PBF IRFB7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 59A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
10.6 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
83нКл
Входная емкость:
3049пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFS59N10DPBF IRFS59N10DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100V
Ток стока макс.:
59A
Сопротивление открытого канала:
25 mOhm
Мощность макс.:
3.8W
Тип транзистора:
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5V
Заряд затвора:
114nC
Входная емкость:
2450pF
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"