Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
IRFR9120NTRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
9 820 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,73
DMN3026LVT-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 6.6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 643пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMA291P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD8P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD8P10TM_F085 Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
FQPF7N80C Транзистор полевой N-канальный 800В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1680пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFIB7N50APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6,6А 60Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1423пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR9120NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.5А 39Вт, 0.48 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 820 шт
Цена от:
от 31,73
IRFR9120NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
9 820 шт
Цена от:
от 16,57
NTMS4177PR2G Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 840мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"