Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

IRF9317TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 16A SO-8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 547 шт

Под заказ:

230 шт

Цена от:

от 56,59₽

STD18N55M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 13А 90Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 550В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 192 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 106 шт

Под заказ:

455 шт

Цена от:

от 275,54₽

IRF7210TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 212нКл Входная емкость: 17179пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

328 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 79,63₽

IRF7410TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 8676пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 418 шт

Под заказ:

20 210 шт

Цена от:

от 50,16₽

IRFR3910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

4 310 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 38,81₽

SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

80 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 372,89₽

STD16NF06T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16А 0.06 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 14.1нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 173 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 52,63₽

STP16NF06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

303 шт

Под заказ:

40 шт

Цена от:

от 77,13₽

2SK3687 Транзистор полевой N-канальный 600В 16А 97Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Мощность макс.: 97Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

CSD17302Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 87 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCA16N60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP16N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF16N60 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 37.9Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCPF16N60NT Транзистор полевой N-канальный 600В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 35.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDB060AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8444L_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 153Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7676 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7682 Транзистор полевой N-канальный 30В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1885пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86150 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 4.85 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 4065пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP060AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 5150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"