Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

Акция

IRLMS1503TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TSOP-6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

9.6нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

679 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 21,78₽

Акция

SPP03N60S5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

420пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

58 шт

Внешние склады:

4 100 шт

Цена от:

от 57,78₽

DMP2160U-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.2A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.4Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Входная емкость:

627пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC86259P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 13A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

107 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

2045пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86106LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

108 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.2В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP3N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 3.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

300В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

2.2 Ом

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

230пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW65R037C6FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 83.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

700В

Ток стока макс.:

3.2A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTHD3101FT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

7.4нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTJS3157NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-363

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVR4501NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 3.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.2В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMV50UPE,215 Полевой транзистор P-канальный 20В 3.2A 3-Pin TO-236AB лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

66 мОм

Мощность макс.:

500мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

900mВ

Заряд затвора:

15.7нКл

Входная емкость:

24пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB65UPEZ Транзистор полевой P-канальный 12В 3.2A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Напряжение исток-сток макс.:

12В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

72 мОм

Мощность макс.:

317мВт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

634пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7450DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.2 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.9Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

42нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7465DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

64 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7465DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.2A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

64 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

40нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N50C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 500В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение исток-сток макс.:

560В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO252-3

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP03N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

1.4 Ом

Мощность макс.:

38Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SQ2351ES-T1_GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"