Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (23)

IRFZ34NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29А 68Вт, 0.05 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

68Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

2 941 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 25,98₽

STP34NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 210Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

210Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2722пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

142 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 213,00₽

STW34NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 250Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-247

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

210Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

2722пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 143 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 302,10₽

BSC018NE2LSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A 8-Pin TDSON EP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

25В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

1.8 мОм

Мощность макс.:

69Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

2800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS7658AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power56

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

1.9 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

109нКл

Входная емкость:

7350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86500DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (5x6), Power56

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

2.3 мОм

Мощность макс.:

3.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

7680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ34NSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVMFS5C442NLAFT3G Полевой транзистор N-канальный 40В 29A 130A 5DFN

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

29A

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

P3004BD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 29А 30Вт

Производитель:

NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

Корпус:

TO-252

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

29A

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Сообщить о поступлении

PSMN030-60YS,115 Транзистор полевой N-канальный

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

LFPAK

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

24.7 мОм

Мощность макс.:

56Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

686пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4459ADY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

7.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

195нКл

Входная емкость:

6000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHB30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHF30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

37Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHG30N60E-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-247AC

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

SIHP30N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

250Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

2600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STB34NM60N Транзистор полевой N-канальный 600В 29A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

210Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

2722пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB34NM60ND Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80.4нКл

Входная емкость:

2785пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB36NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80.4нКл

Входная емкость:

2785пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF34NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

29A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

80.4нКл

Входная емкость:

2785пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"