Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
STP7NK80ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2А 30Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 064 шт

Под заказ:
980 шт
Цена от:
от 83,35
STB7NK80ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5 Ом, 5.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 115,65
STP7NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 000 шт
Цена от:
от 173,12
BSZ900N20NS3G Полевой транзистор N-канальный 200В 15.2A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
FQPF7P20 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 5.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF620SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFI9520GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 390пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL620PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL620SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRL620STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTHS5404T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 5.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"