Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

2N7002,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

830мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

125 636 шт

Внешние склады:

17 500 шт

Аналоги:

480 696 шт

Цена от:

от 1,38₽

Акция

2N7002CK,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.35Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

1.6 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

1.3нКл

Входная емкость:

55пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

8 145 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 7,86₽

BSH201,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 300мА, 0.417Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

417мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

3нКл

Входная емкость:

70пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

9 560 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 9,66₽

Акция

PMBF170,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

830мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

40пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

1 202 шт

Внешние склады:

5 112 шт

Цена от:

от 3,00₽

STN1NK60Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.25А 3.3Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

15 Ом

Мощность макс.:

3.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

6.9нКл

Входная емкость:

94пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

8 241 шт

Внешние склады:

4 060 шт

Цена от:

от 26,16₽

Акция

2N7002K Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

2N7002K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

0.6нКл

Входная емкость:

30пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

2N7002K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.35Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

0.6нКл

Входная емкость:

30пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN5L06K-7 Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 300 мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

50В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

350мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN601TK-7 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-523

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

150мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Входная емкость:

50пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP32D4S-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 0.3A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

2.4 Ом

Мощность макс.:

370мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

0.6нКл

Входная емкость:

51.16пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQN1N60CTA Транзистор полевой N-канальный 600В 300мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO92-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

11.5 Ом

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

170пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

MMBF0201NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

225мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Входная емкость:

45пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

MMBF2201NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 300мА

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-323

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

150мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Входная емкость:

45пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NX3008PBKMB,315 Полевой транзистор P-канальный 30В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN-B лента на катушке

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-883

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

4.1 Ом

Мощность макс.:

360мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.1В

Заряд затвора:

0.72нКл

Входная емкость:

46пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMBF170,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-23 (TO-236AB)

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

5 Ом

Мощность макс.:

830мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Входная емкость:

40пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 314 шт

Цена от:

от 3,00₽

RK7002AT116 Транзистор полевой N-канальный 60В 300мА

Производитель:

ROHM

Корпус:

SST3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

200мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

33пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STQ1NK60ZR-AP Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO92-3

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

300мА

Сопротивление открытого канала:

15 Ом

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

6.9нКл

Входная емкость:

94пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"