Одиночные MOSFET транзисторы

7
Ток стока макс.: 4.9A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (7)
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1411пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
210 шт
Цена от:
от 305,16
DMP3065LVT-7 DMP3065LVT-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.9A TSOT-26
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TSOT-26
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
12.3нКл
Входная емкость:
587пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC610PZ FDC610PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1005пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220FP
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
28Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
557пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTHS4166NT1G NTHS4166NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMV40UN,215 PMV40UN,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.9A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
1.9Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
9.3нКл
Входная емкость:
445пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
TSM2312CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
11.2нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"