Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (29)
AP40T03GH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28А 31.25Вт Производитель: Advanced Power Electronics Corp. Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Мощность макс.: 31.25Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
57 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
14 шт
Цена от:
от 29,35
IRLR2705TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 347 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,15
Акция AP40T03GJ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 28А 31Вт Производитель: Advanced Power Electronics Corp. Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал
AP40T03GP Транзистор полевой N-канальный 30В 28А 31Вт Производитель: Advanced Power Electronics Corp. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал
ATP301-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD16403Q5A Транзистор полевой N-канальный 25В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB28N30TM Транзистор полевой N-канальный 300В 28A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 129 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7570S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4515пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS8820 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 5315пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 28A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт, 0.077 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF540SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF540STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRL540PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28А 150Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
IRL540SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 28 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRLR2705PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 68Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 347 шт
Цена от:
от 31,15
NTMFS5C628NLT1G Транзистор полевой N-канальный 60В 28A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 28A Тип транзистора: N-канал
PHB27NQ10T,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 28A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4842BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 28A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 6.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"