Одиночные MOSFET транзисторы

15
Ток стока макс.: 1.2A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (15)
BSP296NH6327 BSP296NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.2А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.2A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
1 489 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 40,44
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.25Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.67нКл
Входная емкость:
64пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
13 265 шт

Внешние склады:
13 800 шт
Аналоги:
22 121 шт
Цена от:
от 7,44
IRLML2402TRPBF IRLML2402TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
80 662 шт

Внешние склады:
2 600 шт
Аналоги:
262 259 шт
Цена от:
от 5,94
Акция
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.2А 0.54Вт, 0.25 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro3™ (SOT-23/TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
85пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
100 045 шт

Внешние склады:
6 350 шт
Аналоги:
416 122 шт
Цена от:
от 5,64
FDG312P FDG312P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFIBF20GPBF IRFIBF20GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 1.2А 30Вт, 8 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NTS4173PT1G NTS4173PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
290мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10.1нКл
Входная емкость:
430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMV160UP,215 PMV160UP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
210 мОм
Мощность макс.:
335мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
4нКл
Входная емкость:
365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMXB350UPEZ PMXB350UPEZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.2A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
3-DFN (1.1x1)
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
447 мОм
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
950mВ
Заряд затвора:
2.3нКл
Входная емкость:
116пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMZ290UNE2YL PMZ290UNE2YL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.2A 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
320 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
1.4нКл
Входная емкость:
46пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3440DV-T1-E3 SI3440DV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
1.14Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.2A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
375 мОм
Мощность макс.:
1.14Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
STD1HN60K3 STD1HN60K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 1.2A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
9.5нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07FQTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68714 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"