Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
FMH23N50E FMH23N50E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В, 23А, 315Вт
Производитель:
FUJI Electric
Корпус:
TO-3P(Q)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
23A
Мощность макс.:
315Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
495 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 163,68
IRF9540NPBF IRF9540NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
97нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 115 шт

Внешние склады:
1 250 шт
Цена от:
от 25,86
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
384 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,42
IRFB23N15DPBF IRFB23N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
790 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 76,44
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
97нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 491 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 113,76
STD15NF10T4 STD15NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 425 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,46
Акция
FDA24N40F FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
235Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
3030пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 550В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
140 мОм
Мощность макс.:
34Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
64нКл
Входная емкость:
2540пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3315PBF IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF9540NSPBF IRF9540NSPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 23А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
117 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
384 шт
Цена от:
от 34,20
IRFP23N50LPBF IRFP23N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 23А 277Вт, 0.23 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
235 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
150нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP360LCPBF IRFP360LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP360PBF IRFP360PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
280Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
4500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLI540NPBF IRLI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1024пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF40NF06 STF40NF06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
920пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STL23NS3LLH7 Транзистор полевой N-канальный 30В 23A 8-Pin Power Flat EP лента на катушке
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
23A
Тип транзистора:
N-канал
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"