Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
FMH23N50E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В, 23А, 315Вт Производитель: FUJI Electric Корпус: TO-3P(Q) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 23A Мощность макс.: 315Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
324 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 189,13
IRF9540NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
3 822 шт

Под заказ:
149 625 шт
Цена от:
от 23,37
IRF9540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
843 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 65,71
IRFB23N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23А 136Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
931 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 94,35
IRFP9140NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23А 140Вт, 0.117 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
97 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 139,94
STD15NF10T4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23А 70Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 572 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 71,54
FDA24N40F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 235Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 3030пФ Тип монтажа: Through Hole
IPA50R140CPXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 550В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 34Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2540пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF3315PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF9540NSPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 23А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
843 шт
Цена от:
от 34,20
Акция IRFP23N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 23А 277Вт, 0.23 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 235 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP360LCPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3400пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFP360PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 23А 280Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 4500пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole
IRLR2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTD6415ANLT4G Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1024пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF40NF06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 23 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole
STL23NS3LLH7 Транзистор полевой N-канальный 30В 23A 8-Pin Power Flat EP лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 23A Тип транзистора: N-канал
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"