Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
IRFB260NPBF IRFB260NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 56А 380Вт, 0.04 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
220нКл
Входная емкость:
4220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
5 069 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 114,06
Акция
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 242 шт

Внешние склады:
820 шт
Цена от:
от 63,84
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 538 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 37,08
IRFR3707ZTRPBF IRFR3707ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
876 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 56,28
IRFR4510TRPBF IRFR4510TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм
Мощность макс.:
143Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
3031пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
20 850 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,34
AUIRFR1018E AUIRFR1018E Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 79 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3607 AUIRFR3607 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9614-60E,118 BUK9614-60E,118 Транзистор полевой N-канальный 60В 56A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
12.8 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
20.5нКл
Входная емкость:
2651пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75639G3 HUF75639G3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75639P3 HUF75639P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Транзистор полевой N-канальный 100В 56A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFB4233PBF IRFB4233PBF Транзистор полевой N-канальный 230В 56А 370Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
230В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
5510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR1018EPBF IRFR1018EPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 464 шт
Цена от:
от 43,26
Акция
IRFR2405PBF IRFR2405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
5 062 шт
Цена от:
от 63,84
Акция
IRFR3607PBF IRFR3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 538 шт
Цена от:
от 37,08
Акция
IRFR3707ZPBF IRFR3707ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 276 шт
Цена от:
от 56,28
Акция
IRFR7746PBF IRFR7746PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
11.2 мОм
Мощность макс.:
99Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
89нКл
Входная емкость:
3107пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR7746TRPBF IRFR7746TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFU3607PBF IRFU3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFU4510PBF IRFU4510PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
13.9 мОм
Мощность макс.:
143Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
81нКл
Входная емкость:
3031пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"