Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (20)
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
818 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 53,70
Акция
RSS085N05 RSS085N05 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 45В 8.5А 2Вт
Производитель:
ROHM
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
45В
Ток стока макс.:
8.5A
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
151 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,70
STD11NM50N STD11NM50N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 8.5А 0.4 Ом, 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
547пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
397 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 94,98
Акция
2SK3017 2SK3017 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8.5А 90Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8.5A
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
15 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 92,40
Акция
2SK2320 2SK2320 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8.5А 90Вт
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO3FP
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8.5A
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Акция
2SK2606 2SK2606 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8.5А 85Вт (рекомендуемая замена: TK10J80E, TK10A80E)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8.5A
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
AO4404 AO4404 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5A 3Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
DMP4015SPS-13 DMP4015SPS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 8.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
PowerDI5060-8 (4.9x5.8)
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
47.5нКл
Входная емкость:
4234пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5680 FDD5680 Полевой транзистор N-канальный 60В 38A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
21 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1835пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC4435BZ FDMC4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2045пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDS8884 FDS8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
635пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP50R190CEXKSA1 IPP50R190CEXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IPW50R190CEFKSA1 IPW50R190CEFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRF7403PBF IRF7403PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
818 шт
Цена от:
от 53,70
IRFB9N65APBF IRFB9N65APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
930 мОм
Мощность макс.:
167Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1417пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD12N65M5 STD12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF11NM50N STF11NM50N Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
470 мОм
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
547пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STL12N65M5 STL12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
644пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP12N65M5 STP12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 70Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STU12N65M5 STU12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-251
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A
Сопротивление открытого канала:
430 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7106 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"