Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
IRFP2907ZPBF IRFP2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90А 310Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
364 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 431,04
IRFR7440TRPBF IRFR7440TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
134нКл
Входная емкость:
4610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
222 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 43,68
Акция
IRFU7440PBF IRFU7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 90А 140Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
134нКл
Входная емкость:
4610пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 470 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 63,78
Акция
IPD90P04P405 IPD90P04P405 Транзистор полевой MOSFET P-канальный -40В -90A 125Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D-Pak
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
6 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 360,54
AUIRFP2907 AUIRFP2907 Транзистор полевой N-канальный 75В 90A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
470Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
620нКл
Входная емкость:
13000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BSC070N10NS3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 100В 90A Aвтомобильного применения 8-Pin TDSON EP
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD9409_F085 FDD9409_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 90 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
3130пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3GATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD90N03S4L03ATMA1 IPD90N03S4L03ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 90A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD90N04S403ATMA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 90A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 90A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 60В 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3709PBF IRF3709PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 90A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
2672пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRF3709STRLPBF IRF3709STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
2672пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTK90N25L2 IXTK90N25L2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-264 (IXTK)
Напряжение исток-сток макс.:
250В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
960Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
640нКл
Входная емкость:
23000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STH140N8F7-2 STH140N8F7-2 Транзистор полевой N-канальный 80В 90A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
6340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP140N8F7 STP140N8F7 Транзистор полевой N-канальный 80В 90A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
6340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SUD50N03-06AP-E3 SUD50N03-06AP-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.68058 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"