Одиночные MOSFET транзисторы

24
Ток стока макс.: 31A
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
IRF5305PBF IRF5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 148 шт

Внешние склады:
1 880 шт
Цена от:
от 45,96
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 503 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 71,58
IRFB31N20DPBF IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
107нКл
Входная емкость:
2370пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
246 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 172,38
Акция
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 31А 45Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
61 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,78
IRFR3410TRPBF IRFR3410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 036 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 34,50
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
23 270 шт

Внешние склады:
2 800 шт
Аналоги:
53 844 шт
Цена от:
от 32,16
IRFU5305PBF IRFU5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
992 шт

Внешние склады:
1 500 шт
Цена от:
от 49,14
Акция
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 31А 255Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
35 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 552,36
Акция
AUIRFR5305 AUIRFR5305 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
925 шт
Цена от:
от 200,40
CSD16407Q5 CSD16407Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7656AS FDMS7656AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
133нКл
Входная емкость:
8705пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQB34N20LTM FQB34N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
3900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQP34N20 FQP34N20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
78нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IPB60R099CPATMA1 IPB60R099CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 31A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
99 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF5305SPBF IRF5305SPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 3.8Вт, 0.06 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 303 шт
Цена от:
от 71,58
IRFP140PBF IRFP140PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
180Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP31N50LPBF IRFP31N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 31А 460Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC (High Voltage)
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
460Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR3410PBF IRFR3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1690пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 036 шт
Цена от:
от 34,50
Акция
IRFR5305PBF IRFR5305PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 992 шт
Цена от:
от 14,40
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -55В -31А 110Вт 0,065Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
52 992 шт
Цена от:
от 14,40
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.70312 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"