Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (21)
AP9971GH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25А 39Вт Производитель: Advanced Power Electronics Corp. Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 25A Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
774 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 16,79
IRFB4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
469 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 140,77
2SK2372 Полевой транзистор, N-канальный, 500В 25А 160Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 25A Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал
2SK2938S Полевой транзистор, N-канальный, 60В 25А 50Вт Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 25A Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал
Акция 2SK3053 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25А 30Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 25A Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал
BSC025N03LSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 6100пФ Тип монтажа: Surface Mount
FCH25N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 25A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 126 мОм Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 3352пФ Тип монтажа: Through Hole
FDMS7660 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 5565пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка FDMS86350ET80 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 10680пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS86500L Транзистор полевой N-канальный 60В 25A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 165нКл Входная емкость: 12530пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPD25N06S4L30ATMA2 Транзистор полевой N-канальный 60В 25A TO252-3 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 25A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IRFB5620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 25А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRLR3105PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 25А 57Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 710пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
232 шт
Цена от:
от 72,79
NTD25P03LT4G Транзистор полевой P-канальный 30В 25А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHG25N40D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 25 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 1707пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция SISA12ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD25N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 25A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD25NF10LT4 Транзистор полевой N-канальный 100В 25А 100Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD25NF10T4 Транзистор полевой N-канальный 100В 25А 0.033 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount
STP25N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 25A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"