Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (23)
Акция BSP295H6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.8А 1.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
191 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 81,31
STN3N40K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 196 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 40,63
CPH3351-TL-W Транзистор полевой P-канальный 60В 1.8A 3-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Тип транзистора: P-канал
CSD23280F3T Полевой транзистор P-канальный 12В 1.8A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 1.8A Тип транзистора: P-канал
FQD2N80TM Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9610PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.8А 60Вт, 0.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9610SPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFBE20PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.8A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 6.5 Ом Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 530пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFL9014TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.8А 2Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9310TRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFU9310PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 1.8А 50Вт Производитель: Vishay Корпус: I-Pak (TO-251AA) Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Through Hole
MCH3475-TL-E Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 1.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMD3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 2нКл Входная емкость: 88пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка NTGS5120PT1G Транзистор полевой P-канальный 60В 1.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 111 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18.1нКл Входная емкость: 942пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTR4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8А 0.21Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция NTRV4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount
NVGS5120PT1G Транзистор полевой P-канальный 60В 2.5A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 111 мОм Мощность макс.: 600мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 18.1нКл Входная емкость: 942пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7464DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
SPP02N60C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"