Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
AP9962AGH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32А 27Вт Производитель: Advanced Power Electronics Corp. Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 32A Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
902 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 18,36
BSC014N04LS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
5 000 шт
Цена от:
от 63,23
IRF6727MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 6190пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 790 шт

Под заказ:
14 400 шт
Цена от:
от 99,68
IRFR3411TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
497 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 59,66
BUK9237-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 32A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 77Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1236пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMS7558S Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 119нКл Входная емкость: 7770пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQA32N20C Транзистор полевой N-канальный 200В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 204Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2220пФ Тип монтажа: Through Hole
FQB30N06LTM Транзистор полевой N-канальный 60В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 3.75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFP32N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 32А 460Вт, 0.135 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 5280пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFR3411PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 32А 130Вт, 0.044 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 1960пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
497 шт
Цена от:
от 59,66
NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN013-30YLC,115 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 32 А Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 13.6 мОм Мощность макс.: 26Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 4.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.95В Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 521пФ Тип монтажа: Surface Mount
PSMN034-100PS,127 Транзистор полевой N-канальный 100В Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 34.5 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23.8нКл Входная емкость: 1201пФ Тип монтажа: Through Hole
SPW32N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 284Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
STD30N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 1270пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"