Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MX
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
6190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 941 шт

Внешние склады:
500 шт
Цена от:
от 119,28
IRFR3411TRPBF IRFR3411TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
267 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,68
AP9962AGH AP9962AGH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32А 27Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Корпус:
TO-252
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
32A
Мощность макс.:
27Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
2 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 15,48
SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
560В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
284Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
29 шт

Внешние склады:
80 шт
Цена от:
от 731,70
BSC014N04LS BSC014N04LS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 32A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
1.4 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
4300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9237-55A,118 BUK9237-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 32A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
77Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.6нКл
Входная емкость:
1236пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7558S FDMS7558S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
1.25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
119нКл
Входная емкость:
7770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQA32N20C FQA32N20C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P(N)
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
82 мОм
Мощность макс.:
204Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
2220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQB30N06LTM FQB30N06LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FQP30N06L FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1040пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRFP32N50KPBF IRFP32N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 32А 460Вт, 0.135 Ом
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
460Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
5280пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRFR3411PBF IRFR3411PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 130Вт, 0.044 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
130Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
1960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
267 шт
Цена от:
от 46,68
NTD6414ANT4G NTD6414ANT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 32 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
13.6 мОм
Мощность макс.:
26Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.95В
Заряд затвора:
8.3нКл
Входная емкость:
521пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 Транзистор полевой N-канальный 100В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
34.5 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23.8нКл
Входная емкость:
1201пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STD30N10F7 STD30N10F7 Транзистор полевой N-канальный 100В 35A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1270пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"