Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
BSS315PH6327 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 946 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 14,05
Акция MDHT3N40 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.5А 2Вт Производитель: Magna Chip Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.5A Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
2 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 13,99
BSD314SPEH6327 Полевой транзистор P-канальный 30В 1.5A SOT363 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSS214NH6327 Полевой транзистор N-канальный 20В 1.5A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSS214NWH6327 Транзистор полевой N-канальный 20В 1.5A SOT323 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSS215PH6327 Полевой транзистор P-канальный 20В 1.5A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
DMP2160UW-7 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Входная емкость: 627пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG327N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 380мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.3нКл Входная емкость: 423пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG327NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 380мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 412пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG328P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 337пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN308P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 341пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN358P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 0.5Вт, 0.06 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 182пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQB1P50TM Транзистор полевой P-канальный 500В 1.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQPF2N80YDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 6.3 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 1.5A серия серия COOLMOS P7 TO-252 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IPU80R4K5P7AKMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFL110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2.0Вт, 0.54 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.3нКл Входная емкость: 180пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRLL110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.5А 2Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.1нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция NTR4503NT1G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 0.73 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 420мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.665 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"