Одиночные MOSFET транзисторы

₂₅

Ток стока макс.: 5.5A

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1905)
Surface Mount (3542)
Chassis Mount (9)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (25)

STP9N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

780 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

320пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

693 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 194,58₽

Акция

STU6N62K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 620В 5.5А 90Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-251

Напряжение исток-сток макс.:

620В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.2 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

875пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

10 шт

Цена от:

от 153,66₽

BSL307SPH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.5A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TSOP-6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.5A

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK98150-55A/CUF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5.5A SOT223

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

5.5A

Тип транзистора:

N-канал

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC602P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1456пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC604P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1926пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC645N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1460пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD6N50FTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

500В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.15 Ом

Мощность макс.:

89Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

19.8нКл

Входная емкость:

960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD7N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N20LTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

92нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQD7N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

300В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

700 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP6N80C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

800В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

2.5 Ом

Мощность макс.:

158Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1310пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FQPF6N60C Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 40Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

810пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF730PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5А 74Вт, 1 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFIB6N60APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

60Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

49нКл

Входная емкость:

1400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67983 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"